Как разогнать оперативную память (и почему это нужно)

Содержание:

Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ
Удаление ресурсоемких и ненужных программ
Больше, чем просто мегагерц
Советы специалистов
Intel Sandy Bridge
Intel Bloomfield
Что нужно учитывать при разгоне оперативки DDR4
Страница 2: Тестовые системы
Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС
- Разгон ОЗУ в биосе Award
- Разгон ОЗУ в биосе UEFI
Разгон оперативной памяти
Лучшие модули оперативной памяти DDR3, по мнению редакции
Многогранная
Intel Bloomfield
Какие тайминги лучше выбирать

Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ

После каждой подстройки оперативной памяти в биосе (то есть после разгона) сохраняйте настройки биоса и запускайте систему. Если система запустилась, это уже хорошо, если нет – компьютер перезагрузится с заводскими настройками. А если компьютер совсем не включается, то настройки можно сбросить вручную, замкнув на материнской плате контакт Clear CMOS (JBAT1) любым металлическим предметом или перемычкой.

После этого вам нужно будет проверить систему на стабильность, запустив один из специальных тестов (например, в AIDA64 или Everest) или запустив игру, которая может хорошенько нагрузить систему. Если компьютер не выключается, не перезагружается, не выдает ошибку, не зависает и не появляется синий экран смерти, значит, эти настройки разгона оперативной памяти вам подошли.

Отсеивайте те комбинации настроек, при которых компьютер работает нестабильно. А те, которые работают стабильно, проверяйте на производительность и сравнивайте.

Можно использовать многочисленные бенчмарки (в том числе встроенными в AIDA64 или Everest) и проверять с какими настройками сколько баллов наберет ваша система. А можно использовать старый добрый архиватор. Создайте папку для теста, накидайте в нее всякого хлама (файлы среднего и маленького размера) и заархивируйте ее архиватором. При этом засеките, сколько времени на это уйдет. Победит, конечно же, та настройка, при которой архиватор справится с тестовой папкой максимально быстро.

Тестирование моей оперативной памяти в бенчмарке Everest’a

Удаление ресурсоемких и ненужных программ

Как выбрать оперативную память для компьютера. как подобрать оперативную память под процессор

Самый быстрый и простой способ очистить оперативную память — убедиться, что системные процессы не используют все ресурсы вашего компьютера.

Эту проблему легко разработать со временем, особенно если вы привыкли устанавливать много программного обеспечения. Также есть очень простое решение.

Проверьте системные процессы, перечисленные в диспетчере задач, и найдите незнакомые вам проблемные приложения, которые потребляют слишком много оперативной памяти.

Щелкните правой кнопкой мыши на Панель задач и выберите Диспетчер задач.
Нажимаем на Подробнее и переходит во вкладку Процессы.
Отсортируйте процессы по памяти и найдите программы в верхней части списка (желательно в первой двадцатке), которые вы не узнаете или которые вам сути и не нужны.
Если вы обнаружите такие процессы, то стоит их удалить. Для этого нажимаем на поиск и вводим панель управления, нажмите на Программы и Программы и компоненты. В списке найдите ту программу которую вы нашли в процессах и удалите ее.
Также некоторые программы могут находится в параметрах Windows. Для этого заходим в параметры и выбираем приложения. Скролим вниз и в списке удаляем нужную нам программу.

Периодически выполняйте данное действие, так-как с увеличением установленных программ, ненужные процессы могут только увеличиться.

Больше, чем просто мегагерц

Как поменять оперативную память на ноутбуке lenovo

Причина, по которой так много людей опасаются разгона оперативной памяти, заключается в том, что речь идет о большем, чем просто увеличение тактовой частоты до тех пор, пока оперативная память не выйдет из строя, а затем немного отступить. RAM должна выполнять несколько различных типов сложных операций для поиска, чтения и записи в ячейки памяти.

Обычно они выражаются как «тайминги» барана. Например, вы увидите спецификации RAM, за которыми следует строка чисел, например «10-10-10-30». Каждое из этих чисел представляет количество тактовых циклов, которые занимают определенные операции. Меньшие числа означают более высокие скорости. Вот краткое объяснение каждого первичного временного числа:

CL: Cas Latency — сколько тактов между запросом в ОЗУ и ответом от него.
tRCS: RAS to CAS Delay — задержка между активацией строки и затем столбца ячейки памяти.
tRP: RAS Precharge — время между деактивацией одной строки памяти и активацией следующей.
tRAS: Active to Precharge Delay — время ожидания между каждой операцией доступа к памяти.

Эти четыре основных тайминга — это то, что большинство людей настраивает при разгоне своей оперативной памяти. Также существует множество суб-таймингов, но они предназначены для абсолютных экспертов, которые точно знают, что делают. Настроить эти основные тайминги более чем достаточно для любого пользователя, который хочет немного повысить производительность.

Вы хотите, чтобы эти тайминги были как можно меньше, не вызывая проблем со стабильностью или производительностью. Дело в том, что чем выше вы увеличиваете частоту, тем выше должны быть эти числа, чтобы все работало. Это может привести к ситуации, когда более высокие скорости, но более слабая синхронизация приводят к общему снижению производительности.

Советы специалистов

Тестируем оперативную память на работоспособность

При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие «прожорливые» программы и приложения. В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных. Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.

Intel Sandy Bridge

Повышая рабочее напряжение, можно увеличить разгонный потенциал модулей, но бездумно задирать этот параметр не стоит — память может и перегореть.

Новейшие процессоры Intel, представленные
двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7, придутся по душе
оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy
Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих
процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все
основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению — стоит
отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно.
Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому
единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) — увеличивать
соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые
процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без
проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная
частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой
набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его
производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами
Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для
эффективного разгона ОЗУ недостаточно — нужна еще и подходящая материнская
плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские
возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с
индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не
умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули
будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express,
позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до
DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить
со всей основательностью.

К бою готов

Чем лучше у вашей памяти радиаторы, тем
выше у нее разгонный потенциал.

Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона
или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть
их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то
отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и
системы охлаждения.

Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые
компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до
конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного
потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько
микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на
чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно
и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют
эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше
производительности.

Intel Bloomfield

Если ошибиться с выбором материнской платы для Sandy Bridge, то о разгоне памяти можно будет сразу забыть.

Любимцы энтузиастов — процессоры Core i7 девятисотой
серии — обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью
очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это
компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в
трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских
модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность
процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша,
а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило,
что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы
памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме
DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что
этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не
любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но
не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные
блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не
всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя
серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая
частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что
среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не
нужна — какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в
распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти — они
покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе
можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield
равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно
подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с
множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще
немного бонусных мегагерц.

Что нужно учитывать при разгоне оперативки DDR4

Увеличение скорости RAM подразумевает работу устройства за пределами, предусмотренного условиями эксплуатации. По этой причине нужно быть уверенным, что манипуляции с изменением настроек режима оперативки не навредят вашему ПК.

Разгон включает действия по изменению 3-х параметров: тактовой частоты, таймингов и напряжения.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее будет память. Но при высокой частоте память потребует более высокого напряжения. Здесь следует помнить, что для ОЗУ DDR4 оно установлено в 1,2 В. Чтобы оперативка работала стабильно и не вышла из строя, допустимый предел – 1,4В. Превышение этого порога грозит серьезными неприятностями.

Результат оверклокинга зависит еще от одной характеристики – ранга ОЗУ (одноранговый или двухранговый). В целях разгона наиболее выгоднее иметь дело с одноранговой платой.

Страница 2: Тестовые системы

Для наших тестов мы использовали те же компоненты, что и в руководстве по разгону CPU.

» Fotostrecke

Мы использовали три наиболее популярные платформы AMD и Intel. Конечно, они различаются процессорами и материнскими платами, но для всех трёх платформ мы использовали общие компоненты. Мы устанавливали видеокарту Gigabyte Radeon HD 7970 GHz Edition, блок питания Seasonic Platinum Series 660W и накопитель OCZ Vector 150, на который инсталлировались все тесты и операционная система Windows 8.1 со всеми обновлениями. Для охлаждения процессоров мы использовали систему водяного охлаждения с замкнутым контуром Cooler Master Nepton 280L. Все процессоры мы немного разгоняли. Они работали с фиксированной частотой от 4,0 до 4,3 ГГц (в зависимости от модели).

Intel X99

Процессор: Intel Core i7-5960X
Материнская плата: ASUS Rampage V Extreme
Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
Память: Corsair Vengeance LPX DDR4-2800 (4x 4 GB)
Кулер: Cooler Master Nepton 280L
HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
Операционная система: Windows 8.1

Intel Z97

Процессор: Intel Core i7-4790K
Материнская плата: ASUS Z97-Deluxe
Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
Память: G.Skill Ripjaws X, DDR3-2133 CL11 (2x 4 GB)
Кулер: Cooler Master Nepton 280L
HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
Операционная система: Windows 8.1

AMD 990FX

Процессор: AMD FX-8370e
Материнская плата: ASRock 990FX Killer
Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
Память: G.Skill Ripjaws X, DDR3-2133 CL11 (2x 4 GB)
Кулер: Cooler Master Nepton 280L
HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
Операционная система: Windows 8.1

Модули памяти

Модули памяти для тестовой конфигурации X99

С процессорами «Haswell-E» и платформой X99 Intel в конце августа 2014 представила и новый стандарт памяти DDR4 для настольных систем. Для оптимальной производительности на материнскую память следует устанавливать не меньше четырёх планок памяти DDR4. Мы использовали комплект Corsair, который тестировался вместе с процессором Intel Core i7-5960X в нашем обзоре. Из-за высоких тактовых частот комплект Corsair подходит и для разгона памяти.

Планки семейства Vengeance LPX работают от напряжения 1,2 В, теоретически они могут достигать частоты до 2.800 МГц. Модули памяти заявлены с задержками CL 16-18-18-36. Если вы хотите достичь указанных тактовых частот, то CPU Strap процессора «Haswell-E» следует выставить на 125 МГц. Со стандартной частотой 100 МГц встроенный контроллер памяти может работать с максимальной частотой 2.666 МГц. При повышении BCLK следует уменьшать множитель процессора, чтобы не разгонять его. Подробно процесс разгона CPU описан в нашем руководстве.

Модули памяти для тестовой конфигурации Z97 и 990FX.

Две другие платформы опираются на старую добрую память DDR3 в двухканальном режиме, так что для оптимальной производительности требуются две планки. Мы будем использовать недавно представленные планки памяти Ripjaws-X от G.Skill. Они заявлены с частотой 2.133 МГц и задержками CL11-11-11-30. Напряжение составляет от 1,5 до 1,6 В. В тесте разгона планки памяти заработали и на более высоких тактовых частотах, но нам пришлось увеличить напряжение до 1,65 В.

Методика тестирования

Мы тестировали планки памяти на всех трёх платформах, используя разные тесты. Мы провели тесты не только игр, но и архиваторов, утилит для определения пропускной способности памяти и нескольких синтетических бенчмарков. Все тесты мы разделили на две части. На первом этапе мы выставляли задержки на определенном уровне, после чего измеряли производительность. Затем мы увеличивали тактовую частоту памяти при прежних задержках, после чего снова проводили измерения производительности. На втором этапе мы выставили частоту на фиксированном уровне, после чего изменяли задержки памяти.

Это позволило нам выявить преимущества высоких тактовых частот и низких задержек на разных платформах, а также определить прирост производительности.

Для DDR4 мы использовали следующие настройки:

DDR4-2400 CL16-16-16-36; 1,2 В
DDR4-2133 CL16-16-16-36; 1,2 В
DDR4-1866 CL16-16-16-36; 1,2 В
DDR4-1600 CL16-16-16-36; 1,2 В
DDR4-1333 CL16-16-16-36; 1,2 В
DDR4-1866 CL15-15-15-35; 1,2 В
DDR4-1866 CL14-15-15-32; 1,2 В

Для DDR3 мы использовали следующие настройки:

DDR3-2400 CL11-11-11-30; 1,6 В
DDR3-2133 CL11-11-11-30; 1,6 В
DDR3-1866 CL11-11-11-30; 1,6 В
DDR3-1600 CL11-11-11-30; 1,6 В
DDR3-1333 CL11-11-11-30; 1,6 В
DDR3-1866 CL10-10-10-28; 1,6 В
DDR3-1866 CL9-10-10-28; 1,65 В

<> Разгон памяти: руководство HardwareluxxТесты — SiSoft Sandra

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится

Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

частоты
таймингов
напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частотапамяти,Mhz	Тактов засекунду,шт	Время 1таминга,нс	Таймингов достабильнойзоны, шт	Всегозатраченовремени, нс
2400	1 200 000 000	83	11	913
1600	800 000 000	125	7	875
1333	666 500 000	150	6	900
1066	533 000 000	180	5	900
800	400 000 000	250	4	1000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Лучшие модули оперативной памяти DDR3, по мнению редакции

Мы решили собрать небольшой обзор на несколько вариантов ОЗУ, которые, по нашему мнению, считаются наиболее оптимальными.

HyperX HX324C11SRK2/16

HyperX HX324C11SRK2/16 выполнена в стильном красном корпусе Это комплект модулей из 2 штук. Каждая планка имеет по 8 ГБ. Максимально заявленная частота составляет 2 400 МГц. А максимальная пропускная способность − 19200 мб/с. Тайминги памяти не самые маленькие. Однако ОЗУ имеет собственные профили XMP на два вида частот, с помощью которых можно регулировать производительность своей системы. Купить эту оперативную память DDR3 на 8 ГБ для ПК можно за 13 600 руб.

HyperX DDR3

Ballistix BLT2CP4G3D1608DT1TX0CEU

Фирменный цвет Ballistix − жёлтый Этот набор также состоит из двух планок по 4 Гб. Частота ОЗУ составляет 1600 МГц. Пропускная способность − 12800. Тайминги в этом варианте минимальны, и каждый из них составляет 8. То есть, это недорогое решение с потенциалом для разгона. Стоимость комплекта составляет 5 200 руб.

Ballistix DDR3

Оперативная память на 4 Gb Kingston KVR16N11S8/4

Этот модуль выглядит как обычная плата Комплект состоит из одного модуля на 4 Гб, с частотой в 1600 МГц. Работает планка с таймингами 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ПК можно за 2 000 руб.

Kingston KVR16N11S8

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10

Плата от Corsair выглядит стильно Ещё один комплект из двух модулей по 8 ГБ. Частота не самая высокая — 1600 МГц, а пропускная способность — 12800 Мб/с. Тайминги распределились так: 10/10/10/27. Напряжение составляет 1,5 В. Купить этот комплект можно за 9 000 руб.

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10

G.SKILL F3-2400C10D-16GTX

Иногда кажется, что производители ОЗУ соревнуются между собой в дизайне Один из топовых комплектов ОЗУ. Общий объём составляет 16 Гб, то есть две планки по 8 Гб. Максимально возможная частота — 2400 МГц. Тайминги относительно невысокие — 10/12/12/31. Стоимость комплекта — 18 600 руб.

G.SKILL DDR3

Kingston KVR16S11S8/4

Форм-фактор SODIMM значительно компактней своего старшего собрата DIMM Недорогая оперативная память на 4 Gb DDR3 для ноутбука по бюджетной цене. Состоит из одного модуля, частота которого составляет 1600 МГц при пропускной способности 12800 Мб/с. Тайминги средние — 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ноутбука можно за 2 200 руб.

Kingston DDR3

Многогранная

В сравнении с обычной SDRAM память типа DDR обладает удвоенной пропускной способностью, что и отображено в ее названии — Double Data Rate.

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс
разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров
устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские
пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками
(таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше!
Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить
модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы.
Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных
компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем
вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают
эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических
утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная
частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM,
которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и
удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость.
В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память
взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового
сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти.
Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать
именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту
работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы
вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то
не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на
их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным
является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило,
придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают
с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его
приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному
тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое
увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные
границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2
разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги),
и это, определенно, тема для отдельной главы.

Intel Bloomfield

Если ошибиться с выбором материнской платы для Sandy Bridge, то о разгоне памяти можно будет сразу забыть.

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим, вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обоих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.

Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал другой почти на треть цикла.

Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться

При этом важно, чтобы в материнской плате была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ